制作ZnO基异质结发光二极管的方法

	制作ZnO基异质结发光二极管的方法; 制作ZnO基异质结发光二极管的方法
	游经碧; 张兴旺
专利国别	中国
专利号	CN201010183370.5
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	本发明提供一种制作ZnO基异质结发光二极管的方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积p-GaN薄膜；2)在p-GaN薄膜上生长ZnO薄膜；3)采用湿法腐蚀，将p-GaN薄膜上的ZnO薄膜的一侧腐蚀掉，露出p-GaN薄膜，形成台面；4)在p-GaN薄膜的台面上制作p型电极；5)在ZnO薄膜上制作n型电极。
公开日期	2011-08-31
语种	中文
专利申请号	CN201010183370.5
专利代理	汤保平
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22201]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	游经碧,张兴旺. 制作ZnO基异质结发光二极管的方法, 制作ZnO基异质结发光二极管的方法. CN201010183370.5.