| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法; 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 | |
| 王宝军 ; 朱洪亮 ; 赵玲娟 ; 王圩 ; 潘教青 ; 梁松 ; 边静 ; 安心 ; 王伟 ; 周代兵 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN201010196156.3 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底的表面依次生长有源层和限制层，作为器件的基本结构；步骤2：在限制层的表面制作光刻图形；步骤3：光刻，在限制层的表面刻蚀出双沟脊型结构，刻蚀深度到达有源层的表面；步骤4：在双沟脊型结构内及限制层的表面涂聚酰亚胺介质层，预固化；步骤5：在聚酰亚胺介质层的表面涂光刻胶，烘干；步骤6：曝光，显影去掉双沟脊型结构上的及限制层表面的聚酰亚胺介质层，固化，完成器件的制作。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201010196156.3 |
| 专利代理 | 汤保平 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22197]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王宝军,朱洪亮,赵玲娟,等. 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法, 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法. CN201010196156.3. |
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