氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法

	氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法; 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法
	张书明
专利国别	中国
专利号	CN200910077383.1
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一N型欧姆接触电极制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在P型掺杂的AlGaN欧姆接触层上。
公开日期	2011-08-30
语种	中文
专利申请号	CN200910077383.1
专利代理	汤保平
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22069]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	张书明. 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法, 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法. CN200910077383.1.