GaN基光电子器件表面粗化的制作方法

	GaN基光电子器件表面粗化的制作方法; GaN基光电子器件表面粗化的制作方法
	张书明
专利国别	中国
专利号	CN200910237781.5
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	本发明一种GaN基光电子器件表面粗化的制作方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上依次外延生长n型层、i型层及p型层；步骤3：利用纳米加工技术，在p型层上加工形成纳米柱阵列；步骤4：在该纳米柱阵列上外延生长p型表面粗化层。
公开日期	2011-08-30
语种	中文
专利申请号	CN200910237781.5
专利代理	汤保平
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22005]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	张书明. GaN基光电子器件表面粗化的制作方法, GaN基光电子器件表面粗化的制作方法. CN200910237781.5.