一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法

	一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法
	郭红霞; 陈伟; 郭旗; 何承发; 罗尹虹; 文林; 王玲; 张凤祁; 赵雯; 肖尧
	2014-08-20
著作权人	中国科学院新疆理化技术研究所
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。
申请日期	2014-05-22
内容类型	专利
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/6806]
专题	固体辐射物理研究室
推荐引用方式 GB/T 7714	郭红霞,陈伟,郭旗,等. 一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法. 2014-08-20.