基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法

	基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法
	于新; 何承发; 施炜雷; 郭旗; 文林; 张兴尧; 孙静; 李豫东
	2017-09-01
著作权人	中国科学院新疆理化技术研究所
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及一种基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法，该方法包括筛选p‑i‑n结构的探头，探测器参数调整及确认，在不同放射源下获取探测器响应并标定；根据不同放射源对探头材料的非电离能损NIEL，将探测器响应与不同放射源注量或剂量的关系统一成探测器响应与位移损伤剂量的关系；根据实际探测结果确定损伤增强因子。该方法优势在于其探测的物理量是位移损伤剂量，包含任何能够造成位移损伤效应的粒子；与探测粒子种类、能谱相比，能够直接反映半导体元器件的位移损伤程度；基于此结构的探测器便携、灵活、易用，适用于空间环境监测、半导体元器件位移损伤效应评估及寿命预测。
申请日期	2014-11-10
状态	已授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/6791]
专题	固体辐射物理研究室
推荐引用方式 GB/T 7714	于新,何承发,施炜雷,等. 基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法. 2017-09-01.