本发明涉及一种石墨基底上生长不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法，该方法中烷氧基铜酞菁为八辛氧基铜酞菁，将其溶解在有机溶剂甲苯中，配制成溶液，然后将溶液滴加到干净的高定向裂解石墨基底上，温度25℃-55℃下溶剂挥发后得到生长在石墨表面上的含两种晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜；而通过控制溶剂挥发温度60℃、或室温25℃下溶剂挥发后再通过温度75℃-80℃退火处理，可控制得到具有单一晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。该方法得到的单分子薄膜结构中的晶型种数可调，成膜均匀，缺陷少，操作简单，温度条件温和，石墨易清洁可多次利用。通过本发明所述方法获得的石墨基底上生长的不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜可用于光电分子传感器等领域。