一种铌掺杂锰镍基负温度系数热敏电阻及其制备方法

	一种铌掺杂锰镍基负温度系数热敏电阻及其制备方法
	孔雯雯; 程飞鹏; 常爱民; 姚金城
	2018-08-14
著作权人	中国科学院新疆理化技术研究所
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及一种铌掺杂锰镍基负温度系数热敏电阻及其制备方法，该材料包含Mn、Ni、Nb三种元素，成分为Mn2.25Ni0.75‑xNbxO，其中x=0.01‑0.35，通过调整配方中铌元素的掺杂量，有效调节传统锰镍基二元热敏电阻材料的电阻率大小和材料常数来调节热敏电阻材料的电阻率和材料常数，通过本发明所述方法获得的铌掺杂锰镍基负温度系数热敏电阻材料具有高纯单相结构的高B低阻特点的热敏电阻材料体系。可以通过改变微量掺杂铌元素以调节热敏电阻元件的电阻率和材料常数B值，该材料性能稳定高、可靠性高。电阻率和材料常数B值逆势变化等优势，能够被制备成芯片型热敏元件，在温度测控领域具有广泛的应用前景。
申请日期	2018-04-19
内容类型	专利
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/6342]
专题	新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
推荐引用方式 GB/T 7714	孔雯雯,程飞鹏,常爱民,等. 一种铌掺杂锰镍基负温度系数热敏电阻及其制备方法. 2018-08-14.