一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法; 一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法 | |
徐刚 ; 甄恩明 ; 徐雪青 ; 苗蕾 | |
2010-05-26 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院广州能源研究所 |
中文摘要 | 本发明提供了一种设备及工艺简单的制备c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法。具体步骤包括:(1)以二乙酰丙酮氧钒为原料,配制成溶胶;(2)以此溶胶为涂覆液,在清洗干净的衬底材料上,采用提拉涂膜法或者旋涂法成膜;(3)在含氧气氛中进行热处理。本发明具有工艺简单,可大面积制备,制备成本低廉等优点。所制备的五氧化二钒薄膜沿c轴方向生长,取向单一,有利于离子的嵌入与脱嵌,可改善锂离子电池阴极及电致变色器件的性能。 |
公开日期 | 2010-04-07 ; 2011-07-13 |
申请日期 | 2009-09-08 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200910192094.6 |
专利代理 | 莫瑶江:广州华进联合专利商标代理有限公司 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/5440] |
专题 | 中国科学院广州能源研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐刚,甄恩明,徐雪青,等. 一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法, 一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法. 2010-05-26. |
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