激光模拟瞬态剂量率闩锁效应电流特征机制研究

doi:10.7498/aps.68.20190237

	激光模拟瞬态剂量率闩锁效应电流特征机制研究
	陈钱; 马英起; 陈睿; 朱翔; 李悦; 韩建伟
刊名	物理学报
	2019
卷号	68 期号:12 页码:124202
关键词	瞬态剂量率效应闩锁效应脉冲激光
ISSN号	1000-3290
DOI	10.7498/aps.68.20190237
其他题名	Characteristics of latch-up current of dose rate effect by laser simulation
英文摘要	互补金属氧化物半导体（complementary metal oxide semiconductor，CMOS）工艺集成电路由于寄生的PNPN结构使其可能会受到闩锁效应的影响，在全局辐照下由瞬态剂量率效应诱发的闩锁具有独特的性能.本文利用激光模拟瞬态剂量率效应装置，针对体硅CMOS工艺解串器FIN1218MTDX，进行瞬态剂量率闩锁效应的实验研究，探究其闩锁阈值和闩锁电流特征.实验获得了该器件在3.3 V工作电压时的瞬态剂量率闩锁阈值光功率密度为（8.5 ±1.2）×104 W/cm2；并发现在工作电压3.3和3.6 V，光功率密度1.9×106-1.6×107 W/cm2的辐照下，闩锁电流发生了明显的降低，即出现了闩锁电流的"窗口现象".基于闩锁等效电路模型，利用多路径闩锁机制，构建HSPICE模型对激光实验暴露出的瞬态剂量率闩锁特征进行了机理分析.结果表明：激光实验中闩锁电流波动是由于多路径闩锁机制所致，其会在特定电路结构中促使器件的闩锁路径发生切换，从而诱发这一现象.
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:6529107
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.nssc.ac.cn/handle/122/7076]
专题	国家空间科学中心_空间技术部
通讯作者	韩建伟
推荐引用方式 GB/T 7714	陈钱,马英起,陈睿,等. 激光模拟瞬态剂量率闩锁效应电流特征机制研究[J]. 物理学报,2019,68(12):124202.
APA	陈钱,马英起,陈睿,朱翔,李悦,&韩建伟.(2019).激光模拟瞬态剂量率闩锁效应电流特征机制研究.物理学报,68(12),124202.
MLA	陈钱,et al."激光模拟瞬态剂量率闩锁效应电流特征机制研究".物理学报 68.12(2019):124202.