一种太赫兹真空二极管及其制造方法

	一种太赫兹真空二极管及其制造方法
	阮存军 ; 戴军 ; 徐向晏; 刘虎林; 丁一坤
	2018-12-28
著作权人	北京航空航天大学 ; 中国科学院西安光学精密机械研究所
专利号	CN201811621877.7
国家	中国
文献子类	发明专利
产权排序	1
英文摘要	本发明实施例公开一种太赫兹真空二极管及其制造方法。其中，所述太赫兹真空二极管包括光阴极、真空通道层和阳极，在所述真空通道层设置真空通道，所述真空通道贯穿所述真空通道层，所述光阴极和所述阳极设置在所述真空通道的两端，所述光阴极、所述真空通道层和所述阳极之间形成密封腔，所述真空通道呈圆台状，所述光阴极与所述真空通道的接触面积小于所述阳极与所述真空通道的接触面积。本发明实施例提供的太赫兹真空二极管及其制造方法，提供了一种新的太赫兹真空电子器件。
公开日期	2019-06-07
申请日期	2018-12-28
语种	中文
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31671]
专题	西安光学精密机械研究所_瞬态光学技术国家重点实验室
作者单位	1.北京航空航天大学 2.中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	阮存军,戴军,徐向晏,等. 一种太赫兹真空二极管及其制造方法. CN201811621877.7. 2018-12-28.