一种测量p-GaN载流子浓度的方法

	一种测量p-GaN载流子浓度的方法
	赵德刚
刊名	物理学报
	2011
卷号	60 期号:3 页码:721-728
中文摘要	提出了一种测量p-GaN载流子浓度的方法,其主要思想是利用p-n+结构GaN探测器长波和短波量子效率的差值随反向偏压的变化关系,找到p-GaN层刚好完全耗尽时的偏压,从而求出p-GaN层载流子浓度.模拟计算表明,该方法能够准确测量出p-GaN层的载流子浓度,而且受表面复合,欧姆接触影响很小.进一步研究了实际测量中如何选择p-GaN层厚度,计算结果表明,p-GaN层的优化厚度值随着p-GaN层的浓度增加而减小
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	集成光电子学国家重点实验室开放课题,中央高校基本科研业务费专项资金
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21604]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	赵德刚. 一种测量p-GaN载流子浓度的方法[J]. 物理学报,2011,60(3):721-728.
APA	赵德刚.(2011).一种测量p-GaN载流子浓度的方法.物理学报,60(3),721-728.
MLA	赵德刚."一种测量p-GaN载流子浓度的方法".物理学报 60.3(2011):721-728.