红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器

	红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器
	肖金龙; 樊中朝
刊名	光电子·激光
	2009
卷号	20 期号:10 页码:1278-1281
中文摘要	利用普通光刻和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器,光功率电流曲线表明,器件实现了 200K 的低温激射.对边长为10μm、输出波导长为30μm的正方形微腔激光器,室温测量得到的纵模模式间距为1.3 nm,所对应的是由输出波导和正方形腔组成的F-P腔的F-P模式.采用二维时域有限差分法(FDTD),模拟研究了侧壁粗糙对正方形腔模式品质因子的影响.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目,国家重点基础研究计划资助项目
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21562]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	肖金龙,樊中朝. 红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器[J]. 光电子·激光,2009,20(10):1278-1281.
APA	肖金龙,&樊中朝.(2009).红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器.光电子·激光,20(10),1278-1281.
MLA	肖金龙,et al."红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器".光电子·激光 20.10(2009):1278-1281.