含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作

	含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作
	王辉; 王辉
刊名	科学通报
	2011
卷号	56 期号:2 页码:174-178
中文摘要	提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以此在形成p-GaN纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN层表面,以此改善后续金属电极的沉积.经测试,含有p-GaN纳米阵列结构的电池峰值外量子效率可达55%,比常规p-GaN膜层基InGaN/GaN太阳能电池的外量子效率提高了10%
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展计划,苏州高效太阳能电池技术重点实验室
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21560]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	王辉,王辉. 含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作[J]. 科学通报,2011,56(2):174-178.
APA	王辉,&王辉.(2011).含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作.科学通报,56(2),174-178.
MLA	王辉,et al."含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作".科学通报 56.2(2011):174-178.