标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备

	标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备
	王伟
刊名	光电子·激光
	2010
卷号	21 期号:5 页码:644-646
中文摘要	采用新加坡半导体制备有限公司的0. 35um EEPROM双栅标准CMOS工艺设计和制备了U型Si-LED发光器件。器件结构采用P~+-N~+-P~+-P~+-P~+-N~+-P~+-P~+-P~+-N~+-P~+叉指结构形成U型器件, 外部的两个P~+区为保护环, 在相邻的内部两个P~+区之间使用多晶硅作为栅极来调控LED的正偏发光。使用奥林巴斯IC显示镜测得了硅LED实际器件的显微图形, 并对器件进行了电学的正反向I-V特性测量。器件在室温下正向偏置, 在100~140 mA电流下对器件进行了光功率的检测, 发光峰值在1089 nm处。结果表明, 器件发光功率随着栅控电压偏置电流的增加而增加。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助课题,天津市基础研究重点项目
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21530]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	王伟. 标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备[J]. 光电子·激光,2010,21(5):644-646.
APA	王伟.(2010).标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备.光电子·激光,21(5),644-646.
MLA	王伟."标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备".光电子·激光 21.5(2010):644-646.