SOI亚微米波导光栅的设计与制作

	SOI亚微米波导光栅的设计与制作
	陈少武
刊名	半导体光电
	2010
卷号	31 期号:1 页码:27-29
中文摘要	报道了SOI基亚微米小尺寸波导光栅器件的设计、制作与测试结果.提出了波导与光栅同步制作的方案,避免了套刻,节约了成本.实验中采用电子束光刻(EBL)、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀等先进半导体工艺技术,结合图形补偿等技术手段,完成了亚微米波导光栅的制作.光栅周期为350 nm,占空比16:19.采用该光栅做反射镜,制作了法布里-珀罗(F-P)谐振腔,经测试得到了与模拟相吻合的结果,峰谷比达到11 dB.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家"973"计划课题
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21526]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	陈少武. SOI亚微米波导光栅的设计与制作[J]. 半导体光电,2010,31(1):27-29.
APA	陈少武.(2010).SOI亚微米波导光栅的设计与制作.半导体光电,31(1),27-29.
MLA	陈少武."SOI亚微米波导光栅的设计与制作".半导体光电 31.1(2010):27-29.