单面键合面发射激光器的研制与分析

	单面键合面发射激光器的研制与分析
	陈良惠; 渠红伟
刊名	光通信技术
	2010
卷号	34 期号:3 页码:40640
中文摘要	键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)的研制对于光通信的发展具有重要意义,可以有效克服传统外延生长方法的诸多难題.文章通过对布喇格反射镜、有源区和光学腔的设计,结合键合技术进行工艺设计,研制出单面键合长波长垂直腔面发射激光器,并对器件进行了光泵浦测试与分析.器件的光泵激射证明结构及工艺设计是合理的,键合后的界面可以承受腐蚀、剥离、氧化等后续工艺,且键合界面未对器件光学性能造成明显不良影响.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	深圳信息职业技术学院青年自然科学基金项目
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21714]
专题	半导体研究所_纳米光电子实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	陈良惠,渠红伟. 单面键合面发射激光器的研制与分析[J]. 光通信技术,2010,34(3):40640.
APA	陈良惠,&渠红伟.(2010).单面键合面发射激光器的研制与分析.光通信技术,34(3),40640.
MLA	陈良惠,et al."单面键合面发射激光器的研制与分析".光通信技术 34.3(2010):40640.