表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究

	表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究
	陈良惠; 陈微
刊名	物理学报
	2010
卷号	59 期号:11 页码:8083-8087
中文摘要	近年来, GaN基光子晶体发光二极管(light emitting diode,LED)的研究已经取得了一定的进展,利用光子晶体的光子带隙效应和光栅衍射原理,在LED上制作光子晶体结构将会提高出光效率.本文为了提高AlGaInP系LED的光提取效率,分析了常规LED光提取效率受到限制的原因,将光子晶体结构引入了AlGaInP系LED的器件结构设计,通过理论分析与实验验证,结果显示:光子晶体结构对于提高AlGaInP系LED的光提取效率同样起到了明显的效果,引入光子晶体后,LED的输出光强比常规结构LED平均提高了16%
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展计划,北京市自然科学基金
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21712]
专题	半导体研究所_纳米光电子实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	陈良惠,陈微. 表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究[J]. 物理学报,2010,59(11):8083-8087.
APA	陈良惠,&陈微.(2010).表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究.物理学报,59(11),8083-8087.
MLA	陈良惠,et al."表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究".物理学报 59.11(2010):8083-8087.