Si薄膜低温液相外延 | |
钱永彪[1]; 史伟民[2]; 陈培峰[3]; 闵嘉华[4]; 顾永明[5]; 郭燕明[6]; 桑文斌[7] | |
刊名 | 半导体光电
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1998 | |
卷号 | 19页码:128 |
关键词 | 半导体薄膜材料 低温液相外延 硅薄膜 太阳能电池 |
ISSN号 | 1001-5868 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2425856 |
专题 | 上海大学 |
作者单位 | [1] 上海大学, 上海 中国[2] 上海大学, 上海 中国[3] 上海大学, 上海 中国[4] 上海大学, 上海 中国[5] 上海大学, 上海 中国[6] 上海大学, 上海 中国[7] 上海大学, 上海 中国 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 钱永彪[1],史伟民[2],陈培峰[3],等. Si薄膜低温液相外延[J]. 半导体光电,1998,19:128. |
APA | 钱永彪[1].,史伟民[2].,陈培峰[3].,闵嘉华[4].,顾永明[5].,...&桑文斌[7].(1998).Si薄膜低温液相外延.半导体光电,19,128. |
MLA | 钱永彪[1],et al."Si薄膜低温液相外延".半导体光电 19(1998):128. |
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