| 关于硅薄膜液相外延中氧化问题的若干讨论 | |
| 史伟民[1]; 闵嘉华[2]; 王林军[3]; 钱永彪[4]; 刘冬华[5]; 陈培峰[6]; 桑文斌[7]; 吴汶海[8] | |
| 刊名 | 上海大学学报(自然科学版)
 |
| 2000 | |
| 卷号 | 6页码:194-198 |
| 关键词 | 硅氧化 液相外延 硅薄膜 |
| ISSN号 | 1007-2861 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2422762 |
| 专题 | 上海大学 |
| 作者单位 | 上海大学,材料科学与工程学院,上海,201800 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 史伟民[1],闵嘉华[2],王林军[3],等. 关于硅薄膜液相外延中氧化问题的若干讨论[J]. 上海大学学报(自然科学版),2000,6:194-198. |
| APA | 史伟民[1].,闵嘉华[2].,王林军[3].,钱永彪[4].,刘冬华[5].,...&吴汶海[8].(2000).关于硅薄膜液相外延中氧化问题的若干讨论.上海大学学报(自然科学版),6,194-198. |
| MLA | 史伟民[1],et al."关于硅薄膜液相外延中氧化问题的若干讨论".上海大学学报(自然科学版) 6(2000):194-198. |
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