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高真空强静电场下等规聚丙稀薄膜微晶生长形态研究
肖学山[1]; 董远达[2]; 乔秀颖[3]; 莫志深[4]; 王庆[5]; 王献红[6]; 徐晖[7]
刊名上海大学学报(自然科学版)
2000
卷号6页码:468-470
关键词静电场 等规聚丙稀薄膜 球晶 树枝晶
ISSN号1007-2861
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内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2422713
专题上海大学
作者单位1.上海大学材料科学与工程学院上海 20007中国科学院长春应用化学研究所长春 130022
2.上海大学材料科学与工程学院上海 200072
3.中国科学院长春应用化学研究所长春 130022
推荐引用方式
GB/T 7714
肖学山[1],董远达[2],乔秀颖[3],等. 高真空强静电场下等规聚丙稀薄膜微晶生长形态研究[J]. 上海大学学报(自然科学版),2000,6:468-470.
APA 肖学山[1].,董远达[2].,乔秀颖[3].,莫志深[4].,王庆[5].,...&徐晖[7].(2000).高真空强静电场下等规聚丙稀薄膜微晶生长形态研究.上海大学学报(自然科学版),6,468-470.
MLA 肖学山[1],et al."高真空强静电场下等规聚丙稀薄膜微晶生长形态研究".上海大学学报(自然科学版) 6(2000):468-470.
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