CORC  > 上海大学
CZ法生长参数对TeO2晶体质量的影响
陶绍军[1]; 桑文斌[2]; 钱永彪[3]; 闵嘉华[4]; 方雅珂[5]
刊名人工晶体学报
2003
卷号32页码:165-169
关键词氧化碲晶体 CZ法 工艺参数 晶体缺陷
ISSN号1000-985X
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内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2411838
专题上海大学
作者单位[1]上海大学材料学院,上海,201800[2]上海大学材料学院,上海,201800[3]上海大学材料学院,上海,201800[4]上海大学材料学院,上海,201800[5]上海大学材料学院,上海,201800
推荐引用方式
GB/T 7714
陶绍军[1],桑文斌[2],钱永彪[3],等. CZ法生长参数对TeO2晶体质量的影响[J]. 人工晶体学报,2003,32:165-169.
APA 陶绍军[1],桑文斌[2],钱永彪[3],闵嘉华[4],&方雅珂[5].(2003).CZ法生长参数对TeO2晶体质量的影响.人工晶体学报,32,165-169.
MLA 陶绍军[1],et al."CZ法生长参数对TeO2晶体质量的影响".人工晶体学报 32(2003):165-169.
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