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	高频放电处理ITO电极对有机电致发光器件性能的影响
	刘德武[1]; 朱文清[2]; 吴有智[3]; 蒋雪茵[4]; 张志林[5]; 许少鸿[6]
刊名	上海大学学报（自然科学版）
	2004
卷号	10页码:551-554
关键词	高频放电 功函数 有机电致发光 空穴注入势垒
ISSN号	1007-2861
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2406547
专题	上海大学
作者单位	[1] 上海大学,材料科学与工程学院, 上海 201800, 中国[2] 上海大学,材料科学与工程学院, 上海 201800, 中国[3] 上海大学,材料科学与工程学院, 上海 201800, 中国[4] 上海大学,材料科学与工程学院, 上海 201800, 中国[5] 上海大学,材料科学与工程学院, 上海 201800, 中国[6] 上海大学,材料科学与工程学院, 上海 201800, 中国
推荐引用方式 GB/T 7714	刘德武[1],朱文清[2],吴有智[3],等. 高频放电处理ITO电极对有机电致发光器件性能的影响[J]. 上海大学学报（自然科学版）,2004,10:551-554.
APA	刘德武[1],朱文清[2],吴有智[3],蒋雪茵[4],张志林[5],&许少鸿[6].(2004).高频放电处理ITO电极对有机电致发光器件性能的影响.上海大学学报（自然科学版）,10,551-554.
MLA	刘德武[1],et al."高频放电处理ITO电极对有机电致发光器件性能的影响".上海大学学报（自然科学版） 10(2004):551-554.

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