| 单晶硅上电结晶制铜钴纳米多层膜的研究 | |
| 石新红[1]; 曹为民[2]; 印仁和[3] | |
| 2005 | |
| 会议名称 | 第十三次全国电化学会议 |
| 会议日期 | 2005-11-24 |
| 关键词 | 纳米多层膜 巨磁阻效应 成核过程 磁头材料 磁敏感 成核机理 电结晶 电沉积 周期数 磁滞回线 |
| 页码 | 165-166 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2400517 |
| 专题 | 上海大学 |
| 作者单位 | [1]上海大学理学院化学系[2]上海大学理学院化学系[3]上海大学理学院化学系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石新红[1],曹为民[2],印仁和[3]. 单晶硅上电结晶制铜钴纳米多层膜的研究[C]. 见:第十三次全国电化学会议. 2005-11-24. |
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