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	CdZnTe晶体生长中掺In量对晶体电学性能的影响
	Yuan Zheng[1]; Sang Wen-Bin[2]; Qian Yong-Biao[3]; Liu Hong-Tao[4]; Min Jia-Hua[5]; Teng Jian-Yong[6]
刊名	无机材料学报
	2008
卷号	23页码:195-198
关键词	核探测器 In掺杂 电学性能
ISSN号	1000-324X
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2348599
专题	上海大学
作者单位	1.[1]Shanghai Univ, Sch Mat Sci & Engn, Shanghai 200072, Peoples R China. 2.[2]Shanghai Univ, Sch Mat Sci & Engn, Shanghai 200072, Peoples R China. 3.[3]Shanghai Univ, Sch Mat Sci & Engn, Shanghai 200072, Peoples R China. 4.[4]Shanghai Univ, Sch Mat Sci & Engn, Shanghai 200072, Peoples R China. 5.[5]Shanghai Univ, Sch Mat Sci & Engn, Shanghai 200072, Peoples R China. 6.[6]Shanghai Univ, Sch Mat Sci & Engn, Shanghai 200072, Peoples R China.
推荐引用方式 GB/T 7714	Yuan Zheng[1],Sang Wen-Bin[2],Qian Yong-Biao[3],等. CdZnTe晶体生长中掺In量对晶体电学性能的影响[J]. 无机材料学报,2008,23:195-198.
APA	Yuan Zheng[1],Sang Wen-Bin[2],Qian Yong-Biao[3],Liu Hong-Tao[4],Min Jia-Hua[5],&Teng Jian-Yong[6].(2008).CdZnTe晶体生长中掺In量对晶体电学性能的影响.无机材料学报,23,195-198.
MLA	Yuan Zheng[1],et al."CdZnTe晶体生长中掺In量对晶体电学性能的影响".无机材料学报 23(2008):195-198.

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