| 热处理对低磁场下Gd5Si2Ge2合金相变行为和磁热效应的影响 | |
| 侯雪玲[1]; 胡星浩[2]; 汪学真[3]; 曾智[4]; 徐晖[5] | |
| 2009 | |
| 会议名称 | 2009中国材料研讨会 |
| 会议日期 | 2009-10-14 |
| 关键词 | Gd5Si2Ge2 合金 相变行为 磁热效应 |
| 页码 | 209-213 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2320556 |
| 专题 | 上海大学 |
| 作者单位 | [1]上海大学材料研究所，上海 20007上海大学微结构重点实验室，上海 200444[2]上海大学材料研究所，上海 20007上海大学微结构重点实验室，上海 200444[3]上海大学材料研究所，上海 20007上海大学微结构重点实验室，上海 200444[4]上海大学材料研究所，上海 20007上海大学微结构重点实验室，上海 200444[5]上海大学材料研究所，上海 20007上海大学微结构重点实验室，上海 200444 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 侯雪玲[1],胡星浩[2],汪学真[3],等. 热处理对低磁场下Gd5Si2Ge2合金相变行为和磁热效应的影响[C]. 见:2009中国材料研讨会. 2009-10-14. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论