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铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置
朱明原[1]; 刘聪[2]; 姚俊[3]; 舒佳武[4]; 薄伟强[5]; 王世伟[6]; 李瑛[7]; 胡业旻[8]; 金红明[9]
2011
权利人上海大学
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申请日期2011-11-17
内容类型专利
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2305553
专题上海大学
作者单位上海大学
推荐引用方式
GB/T 7714
朱明原[1],刘聪[2],姚俊[3],等. 铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置. 2011-01-01.
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