QQ客服 官方微博 反馈留言

	坩埚中自由空间量对Bridgman法生长的CdZnTe晶体缺陷的影响
	Li Hui[1]; Min Jia-Hua[2]; Wang Lin-Jun[3]; Xia Yi-Ben[4]; Zhang Ji-Jun[5]; Ye Bang-Jiao[6]
刊名	无机材料学报
	2012
卷号	27页码:790-794
关键词	缺陷 正电子寿命 Te夹杂
ISSN号	1000-324X
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2296031
专题	上海大学
作者单位	1.[1]Shanghai Univ, Sch Mat Sci & Engn, Shanghai 200072, Peoples R China. 2.[2]Shanghai Univ, Sch Mat Sci & Engn, Shanghai 200072, Peoples R China. 3.[3]Shanghai Univ, Sch Mat Sci & Engn, Shanghai 200072, Peoples R China. 4.[4]Shanghai Univ, Sch Mat Sci & Engn, Shanghai 200072, Peoples R China. 5.[5]Shanghai Univ, Sch Mat Sci & Engn, Shanghai 200072, Peoples R China. 6.[6]Univ Sci & Technol China, Sch Phys Sci, Hefei 230022, Peoples R China.
推荐引用方式 GB/T 7714	Li Hui[1],Min Jia-Hua[2],Wang Lin-Jun[3],等. 坩埚中自由空间量对Bridgman法生长的CdZnTe晶体缺陷的影响[J]. 无机材料学报,2012,27:790-794.
APA	Li Hui[1],Min Jia-Hua[2],Wang Lin-Jun[3],Xia Yi-Ben[4],Zhang Ji-Jun[5],&Ye Bang-Jiao[6].(2012).坩埚中自由空间量对Bridgman法生长的CdZnTe晶体缺陷的影响.无机材料学报,27,790-794.
MLA	Li Hui[1],et al."坩埚中自由空间量对Bridgman法生长的CdZnTe晶体缺陷的影响".无机材料学报 27(2012):790-794.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。