| 相干场和信号场对四能级负折射率原子系统的影响 | |
| 任海红[1]; 张惠芳[2]; 白丽华[3]; 郭宇[4]; 张泽铭[5] | |
| 刊名 | 光电子技术
 |
| 2012 | |
| 卷号 | 32页码:267-272 |
| 关键词 | 量子光学 人工超材料 光学相干效应 强场过程 |
| ISSN号 | 1005-488X |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2294664 |
| 专题 | 上海大学 |
| 作者单位 | [1]上海大学理学院物理系,上海,200444[2]上海大学理学院物理系,上海,200444[3]上海大学理学院物理系,上海,200444[4]上海大学理学院物理系,上海,200444[5]上海大学理学院物理系,上海,200444 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任海红[1],张惠芳[2],白丽华[3],等. 相干场和信号场对四能级负折射率原子系统的影响[J]. 光电子技术,2012,32:267-272. |
| APA | 任海红[1],张惠芳[2],白丽华[3],郭宇[4],&张泽铭[5].(2012).相干场和信号场对四能级负折射率原子系统的影响.光电子技术,32,267-272. |
| MLA | 任海红[1],et al."相干场和信号场对四能级负折射率原子系统的影响".光电子技术 32(2012):267-272. |
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