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	La3+,Nd3+稀土离子掺杂对电路基板用锂铝硅微晶玻璃性能的影响
	姜洪鑫[1]; 余爱民[2]; 张勇[3]; 夏昌奎[4]; 施鹰[5]; 谢建军[6]
刊名	化工新型材料
	2013
卷号	41页码:139-141
关键词	稀土掺杂 锂铝硅 微晶玻璃 电路基板
ISSN号	1006-3536
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2284812
专题	上海大学
作者单位	[1] 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系, 上海 200072, 中国[2] 杭州诺贝尔集团有限公司, 杭州, 浙江 311122, 中国[3] 杭州诺贝尔集团有限公司, 杭州, 浙江 311122, 中国[4] 杭州诺贝尔集团有限公司, 杭州, 浙江 311122, 中国[5] 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系, 上海 200072, 中国[6] 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系, 上海 200072, 中国
推荐引用方式 GB/T 7714	姜洪鑫[1],余爱民[2],张勇[3],等. La3+,Nd3+稀土离子掺杂对电路基板用锂铝硅微晶玻璃性能的影响[J]. 化工新型材料,2013,41:139-141.
APA	姜洪鑫[1],余爱民[2],张勇[3],夏昌奎[4],施鹰[5],&谢建军[6].(2013).La3+,Nd3+稀土离子掺杂对电路基板用锂铝硅微晶玻璃性能的影响.化工新型材料,41,139-141.
MLA	姜洪鑫[1],et al."La3+,Nd3+稀土离子掺杂对电路基板用锂铝硅微晶玻璃性能的影响".化工新型材料 41(2013):139-141.

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