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	Abrasive-free Chemical Polishing of Hard Disk Substrate with Benzoyl Peroxide-H2O2 Slurry
	Jiang, Ting[1]; Lei, Hong[2]
	2014
会议名称	Design, Manufacturing and Mechatronics
会议日期	2014-03-21
关键词	benzoyl peroxide (BPO) initiator material removal rate (MRR)
页码	66-70
URL标识	查看原文
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2279673
专题	上海大学
作者单位	1.[1]Shanghai Univ, Res Ctr Nanosci & Nanotechnol, Shanghai 200444, Peoples R China. 2.[2]Shanghai Univ, Res Ctr Nanosci & Nanotechnol, Shanghai 200444, Peoples R China.
推荐引用方式 GB/T 7714	Jiang, Ting[1],Lei, Hong[2]. Abrasive-free Chemical Polishing of Hard Disk Substrate with Benzoyl Peroxide-H2O2 Slurry[C]. 见:Design, Manufacturing and Mechatronics. 2014-03-21.

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