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	3d 金属离子 Bi位替代对新型层状超导体 Bi_4O_4S_3超导电性的影响
	彭香连[1]; 尹训庆[2]; 冯振杰[3]; 黎杰[4]; 孙瑞[5]; 鲁波[6]; 康保娟[7]; 张金仓[8]
刊名	低温物理学报
	2014
卷号	36页码:405-409
关键词	超导电性 Bi位替代 磁性离子掺杂
ISSN号	1000-3258
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2279550
专题	上海大学
作者单位	[1] 上海大学理学院, 上海 200444, 中国[2] 上海大学理学院, 上海 200444, 中国[3] 上海大学理学院, 上海 200444, 中国[4] 上海大学理学院, 上海 200444, 中国[5] 上海大学理学院, 上海 200444, 中国[6] 上海大学微结构重点实验室, 上海 200444, 中国[7] 上海大学理学院, 上海 200444, 中国[8] 上海大学理学院, 上海 200444, 中国
推荐引用方式 GB/T 7714	彭香连[1],尹训庆[2],冯振杰[3],等. 3d 金属离子 Bi位替代对新型层状超导体 Bi_4O_4S_3超导电性的影响[J]. 低温物理学报,2014,36:405-409.
APA	彭香连[1].,尹训庆[2].,冯振杰[3].,黎杰[4].,孙瑞[5].,...&张金仓[8].(2014).3d 金属离子 Bi位替代对新型层状超导体 Bi_4O_4S_3超导电性的影响.低温物理学报,36,405-409.
MLA	彭香连[1],et al."3d 金属离子 Bi位替代对新型层状超导体 Bi_4O_4S_3超导电性的影响".低温物理学报 36(2014):405-409.

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