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	斜角法在硅基片上形成Ag/ZnO核壳结构的方法
	赵岳[1]; 丁艳丽[2]; 王林军[3]; 彭翔[4]; 梁小燕[5]; 闵嘉华[6]; 史伟明[7]
	2014
权利人	上海大学
URL标识	查看原文
申请日期	2014-01-02
内容类型	专利
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2272453
专题	上海大学
作者单位	上海大学
推荐引用方式 GB/T 7714	赵岳[1],丁艳丽[2],王林军[3],等. 斜角法在硅基片上形成Ag/ZnO核壳结构的方法. 2014-01-01.

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