| 溶胶凝胶法制备以HfO_2为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管 | |
| 朱乐永[1]; 高娅娜[2]; 张建华[3]; 李喜峰[4] | |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 2015 | |
| 卷号 | 64页码:441-447 |
| 关键词 | 薄膜晶体管 氧化铪 锌铟锡氧化物 场效应迁移率 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2269697 |
| 专题 | 上海大学 |
| 作者单位 | 1.上海大学材料科学与工程学院 2.上海大学 3.新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱乐永[1],高娅娜[2],张建华[3],等. 溶胶凝胶法制备以HfO_2为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管[J]. 物理学报,2015,64:441-447. |
| APA | 朱乐永[1],高娅娜[2],张建华[3],&李喜峰[4].(2015).溶胶凝胶法制备以HfO_2为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管.物理学报,64,441-447. |
| MLA | 朱乐永[1],et al."溶胶凝胶法制备以HfO_2为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管".物理学报 64(2015):441-447. |
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