| 一种聚合物芯片微通道内表面予处理的方法; 一种聚合物芯片微通道内表面予处理的方法 | |
| 王辉 ; 盖宏伟 ; 白吉玲 ; 林炳承 | |
| 2004-01-21 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN02132623.1 |
| 专利类型 | 发明 |
| 关键词 | 物理化学 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 中文摘要 | 一种聚合物芯片微通道内表面预处理的方法，其特征在于：在使用前对聚合物芯片进行予电泳以改变微通道内表面的性质，使微通道内电渗流的大小或方向改变；预电泳时将表面活性剂添加在运行缓冲液中，表面活性剂包括：阴离子表面活性剂，阳离子表面活性剂，两性离子表面活性剂，中性分子表面活性剂。本发明方法可以根据芯片毛细管电泳分离的需要，对芯片微通道内表面进行预处理，随意调节聚合物芯片微通道内电渗流的大小包括方向。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 学科主题 | 物理化学 |
| 公开日期 | 2004-01-21 ; 2011-07-11 |
| 申请日期 | 2002-07-18 |
| 语种 | 中文 |
| 资助信息 | 大连化物所 |
| 专利证书号 | 带填写 |
| 专利申请号 | CN02132623.1 |
| 专利代理 | 张晨 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/109689]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王辉,盖宏伟,白吉玲,等. 一种聚合物芯片微通道内表面予处理的方法, 一种聚合物芯片微通道内表面予处理的方法. CN02132623.1. 2004-01-21. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论