| 宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究进展 | |
| 张宏哲[1]; 王林军[2]; 夏长泰[3]; 赛青林[4]; 肖海林[5] | |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 2015 | |
| 卷号 | 44页码:2943-2953 |
| 关键词 | β-Ga2O3 晶体生长 LED MOSFET 紫外光探测器 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2266033 |
| 专题 | 上海大学 |
| 作者单位 | 1.[1]上海大学,上海200444 2.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800[2]上海大学,上海,200444[3]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800[4]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800[5]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张宏哲[1],王林军[2],夏长泰[3],等. 宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究进展[J]. 人工晶体学报,2015,44:2943-2953. |
| APA | 张宏哲[1],王林军[2],夏长泰[3],赛青林[4],&肖海林[5].(2015).宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究进展.人工晶体学报,44,2943-2953. |
| MLA | 张宏哲[1],et al."宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究进展".人工晶体学报 44(2015):2943-2953. |
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