聚合物薄膜晶体管的制备及性能 | |
刘玉荣[1]; 吴丽明[1,2]; 虞佳乐[1]; 王智欣[1]; 刘超[1]; 李堂艳[1] | |
刊名 | 《半导体光电》
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2009 | |
卷号 | 30页码:16-20 |
关键词 | 聚合物薄膜晶体管 迁移率 开关电流比 退火处理 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2265450 |
专题 | 华南理工大学 |
作者单位 | 1.[1]华南理工大学电子与信息学院,广州510640 2.[2]湄洲湾职业技术学院,福建莆田351254 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘玉荣[1],吴丽明[1,2],虞佳乐[1],等. 聚合物薄膜晶体管的制备及性能[J]. 《半导体光电》,2009,30:16-20. |
APA | 刘玉荣[1],吴丽明[1,2],虞佳乐[1],王智欣[1],刘超[1],&李堂艳[1].(2009).聚合物薄膜晶体管的制备及性能.《半导体光电》,30,16-20. |
MLA | 刘玉荣[1],et al."聚合物薄膜晶体管的制备及性能".《半导体光电》 30(2009):16-20. |
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