| 一种磁阻传感器及其制造方法 | |
| 张文伟 | |
| 2018-12-21 | |
| 著作权人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 专利号 | CN201810264918.5 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 产权排序 | 1 |
| 其他题名 | 一种磁阻传感器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及传感器技术领域，针对现有磁阻传感器最高分辨率难以提高的问题，而提供一种磁阻传感器及其制造方法。其中磁阻传感器包括半导体衬底；绝缘层，位于半导体衬底上；第一氮化钽层，位于绝缘层上；坡莫合金层，位于所述第一氮化钽层上；第二氮化钽层，位于所述坡莫合金层上；其特殊之处在于：还包括位于所述第一氮化钽层和坡莫合金层之间的第一反铁磁性物质层，以及，位于所述坡莫合金层和第二氮化钽层之间的第二反铁磁性物质层。 |
| 学科主题 | H01l43/08 |
| 公开日期 | 2018-07-31 |
| DOI标识 | H01L43 |
| 申请日期 | 2018-03-28 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31046]  |
| 专题 | 其它单位_其它部门 |
| 作者单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张文伟. 一种磁阻传感器及其制造方法. CN201810264918.5. 2018-12-21. |
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