| 一种中孔碳/硅复合材料及其制备方法; 一种中孔碳/硅复合材料及其制备方法 | |
| 刘献斌 ; 刘中民 ; 杨 越 ; 常福祥 ; 曲丽红 | |
| 2006-12-20 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN200510076843.0 |
| 专利类型 | 发明 |
| 关键词 | 物理化学 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 中文摘要 | 一种中孔碳/硅复合材料，其孔径为4.0-11.0nm、比表面积为 300-1000m2g-1、孔容为0.4-1.0cm3g-1。该材料的制备方法是首先通过水热合成法制备出中孔氧化硅分子筛，然后在惰性条件下原位碳化或用浓硫酸预处理后再在惰性条件下碳化，将分子筛孔道中的表面活性剂直接转变为碳材料。碳化后的产品，一方面能将原粉的结构有序性完美地保存下来，同时孔径可以在一定范围内能被调变。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 学科主题 | 物理化学 |
| 公开日期 | 2006-12-20 ; 2011-07-11 |
| 申请日期 | 2005-06-17 |
| 语种 | 中文 |
| 资助信息 | 大连化物所 |
| 专利证书号 | 带填写 |
| 专利申请号 | CN200510076843.0 |
| 专利代理 | 周长兴 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/108697]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘献斌,刘中民,杨 越,等. 一种中孔碳/硅复合材料及其制备方法, 一种中孔碳/硅复合材料及其制备方法. CN200510076843.0. 2006-12-20. |
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