| 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法; 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法 | |
| 刘子玉 ; 刘中民 ; 魏迎旭 ; 齐 越 ; 许 磊 | |
| 2007-07-04 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN200510136598.8 |
| 专利类型 | 发明 |
| 关键词 | 物理化学 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种高水热稳定性的、孔径均匀的、以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法，其特征在于首先水热合成微孔分子筛前驱体，再将前驱体与模板剂以及NaOH混合并回流，然后利用无机酸调节溶解物的pH 值，在一定条件下晶化一段时间，可以得到高水热稳定性的中孔材料，粒度为20-500纳米。经550℃焙烧后，该材料的比表面积为300～1500m2/g、孔容为0.1～1.5cm3/g，孔径为2～10nm。经过100℃沸水处理312小时后，此材料仍然保持着90％以上的比表面积和孔容。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 学科主题 | 物理化学 |
| 公开日期 | 2007-07-04 ; 2011-07-11 |
| 申请日期 | 2005-12-30 |
| 语种 | 中文 |
| 资助信息 | 大连化物所 |
| 专利证书号 | 带填写 |
| 专利申请号 | CN200510136598.8 |
| 专利代理 | 周长兴 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/108519]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘子玉,刘中民,魏迎旭,等. 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法, 一种以氧化硅为主体的中孔材料的制备方法. CN200510136598.8. 2007-07-04. |
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