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	基于柔性 PI 基底的氧化物 IGZO TFT 器件工艺及特性研究
	陈龙龙[1]; 张建华[2]; 李喜峰[3]; 石继锋[4]; 孙翔[5]
刊名	液晶与显示
	2015
页码	796-800
关键词	柔性 薄膜晶体管 铟镓锌氧化物 迁移率
ISSN号	1007-2780
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2237935
专题	上海大学
作者单位	[1]上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海,200072[2]上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海,200072[3]上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海,200072[4]上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海,200072[5]上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海,200072
推荐引用方式 GB/T 7714	陈龙龙[1],张建华[2],李喜峰[3],等. 基于柔性 PI 基底的氧化物 IGZO TFT 器件工艺及特性研究[J]. 液晶与显示,2015:796-800.
APA	陈龙龙[1],张建华[2],李喜峰[3],石继锋[4],&孙翔[5].(2015).基于柔性 PI 基底的氧化物 IGZO TFT 器件工艺及特性研究.液晶与显示,796-800.
MLA	陈龙龙[1],et al."基于柔性 PI 基底的氧化物 IGZO TFT 器件工艺及特性研究".液晶与显示 (2015):796-800.

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