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	图形化电化学腐蚀制备多孔硅方法
	胡志宇[1]; 吴义桂[2]; 林忠劲[3]; 龙啸[4]; 田遵义[5]; 韩超[6]; 张海明[7]
	2015
权利人	上海大学
URL标识	查看原文
申请日期	2015-01-16
内容类型	专利
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2237834
专题	上海大学
作者单位	上海大学
推荐引用方式 GB/T 7714	胡志宇[1],吴义桂[2],林忠劲[3],等. 图形化电化学腐蚀制备多孔硅方法. 2015-01-01.

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