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	0.13 mum CMOS Stacked-FE T两级功率放大器设计
	王坤[1]; 程新红[2]; 王林军[3]; 徐大伟[4]; 张专[5]; 李新昌[6]
刊名	半导体技术
	2016
卷号	41页码:102-106
关键词	功率放大器 多管级联结构 线性化 无线传感网络
ISSN号	1003-353X
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2233944
专题	上海大学
作者单位	[1] 上海大学材料科学与工程学院, 上海 200436, 中国[2] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所汽车电子工程中心, 上海 200050, 中国[3] 上海大学材料科学与工程学院, 上海 200436, 中国[4] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所汽车电子工程中心, 上海 200050, 中国[5] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所汽车电子工程中心, 上海 200050, 中国[6] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所汽车电子工程中心, 上海 200050, 中国
推荐引用方式 GB/T 7714	王坤[1],程新红[2],王林军[3],等. 0.13 mum CMOS Stacked-FE T两级功率放大器设计[J]. 半导体技术,2016,41:102-106.
APA	王坤[1],程新红[2],王林军[3],徐大伟[4],张专[5],&李新昌[6].(2016).0.13 mum CMOS Stacked-FE T两级功率放大器设计.半导体技术,41,102-106.
MLA	王坤[1],et al."0.13 mum CMOS Stacked-FE T两级功率放大器设计".半导体技术 41(2016):102-106.

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