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	溶剂熔区移动法生长In∶Cd0.9Zn0.1Te晶体的性能研究
	段磊[1]; 闵嘉华[2]; 梁小燕[3]; 张继军[4]; 凌云鹏[5]; 杨柳青[6]; 邢晓兵[7]; 王林军[8]
刊名	人工晶体学报
	2016
卷号	45页码:1163-1167
关键词	溶剂熔区移动法 Cd0.9Zn0.1Te 红外透过率 光致发光
ISSN号	1000-985X
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2231678
专题	上海大学
作者单位	[1]上海大学电子信息材料系,上海,200444[2]上海大学电子信息材料系,上海,200444[3]上海大学电子信息材料系,上海,200444[4]上海大学电子信息材料系,上海,200444[5]上海大学电子信息材料系,上海,200444[6]上海大学电子信息材料系,上海,200444[7]上海大学电子信息材料系,上海,200444[8]上海大学电子信息材料系,上海,200444
推荐引用方式 GB/T 7714	段磊[1],闵嘉华[2],梁小燕[3],等. 溶剂熔区移动法生长In∶Cd0.9Zn0.1Te晶体的性能研究[J]. 人工晶体学报,2016,45:1163-1167.
APA	段磊[1].,闵嘉华[2].,梁小燕[3].,张继军[4].,凌云鹏[5].,...&王林军[8].(2016).溶剂熔区移动法生长In∶Cd0.9Zn0.1Te晶体的性能研究.人工晶体学报,45,1163-1167.
MLA	段磊[1],et al."溶剂熔区移动法生长In∶Cd0.9Zn0.1Te晶体的性能研究".人工晶体学报 45(2016):1163-1167.

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