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	一种高居里温度（Tc > 190℃）低铅PTCR陶瓷材料制备方法
	朱兴文[1]; 任慧茹[2]; 卢胤[3]; 牛伟鉴[4]; 李晨[5]; 钟史伟[6]; 周晓[7]; 姜文中[8]
	2016
权利人	上海大学
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申请日期	2016-06-12
内容类型	专利
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2227355
专题	上海大学
作者单位	上海大学
推荐引用方式 GB/T 7714	朱兴文[1],任慧茹[2],卢胤[3],等. 一种高居里温度（Tc > 190℃）低铅PTCR陶瓷材料制备方法. 2016-01-01.

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