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	基于Hspice模型的非晶硅薄膜晶体管特征参数提取
	殷晓文[1]; 严利民[2]; 龚露鸣[3]
刊名	半导体技术
	2016
卷号	41页码:746-750
关键词	非晶硅 薄膜晶体管(TFT) 归一化方法 RPI模型 参数提取
ISSN号	1003-353X
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2226556
专题	上海大学
作者单位	[1] 上海大学微电子研究与开发中心, 上海 200072, 中国[2] 上海大学微电子研究与开发中心, 上海 200072, 中国[3] 上海大学微电子研究与开发中心, 上海 200072, 中国
推荐引用方式 GB/T 7714	殷晓文[1],严利民[2],龚露鸣[3]. 基于Hspice模型的非晶硅薄膜晶体管特征参数提取[J]. 半导体技术,2016,41:746-750.
APA	殷晓文[1],严利民[2],&龚露鸣[3].(2016).基于Hspice模型的非晶硅薄膜晶体管特征参数提取.半导体技术,41,746-750.
MLA	殷晓文[1],et al."基于Hspice模型的非晶硅薄膜晶体管特征参数提取".半导体技术 41(2016):746-750.

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