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	n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究
	熊超[1,2]; 朱锡芳[1]; 陈磊[1]; 陆兴中[1]; 袁洪春[1]; 肖进[1]; 丁丽华[1]; 徐安成[1]
刊名	《半导体光电》
	2013
页码	787-790
关键词	p-CuI/n-Si异质结 I-V特性 C-V特性 内建电势 界面态
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2220324
专题	华南理工大学
作者单位	1.[1]常州工学院光电工程学院,江苏常州213002 2.[2]华南理工大学电子与信息学院,广州510641
推荐引用方式 GB/T 7714	熊超[1,2],朱锡芳[1],陈磊[1],等. n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究[J]. 《半导体光电》,2013:787-790.
APA	熊超[1,2].,朱锡芳[1].,陈磊[1].,陆兴中[1].,袁洪春[1].,...&徐安成[1].(2013).n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究.《半导体光电》,787-790.
MLA	熊超[1,2],et al."n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究".《半导体光电》 (2013):787-790.

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