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	蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展
	管云芳[1]; 高芳亮[1]; 李国强[1]
刊名	《半导体光电》
	2013
页码	180-185
关键词	氮化铟 单晶薄膜 MOCVD RF-MBE 溅射技术 HVPE
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2219440
专题	华南理工大学
作者单位	[1]华南理工大学材料科学与工程学院,发光材料与器件国家重点实验室,广州510640
推荐引用方式 GB/T 7714	管云芳[1],高芳亮[1],李国强[1]. 蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展[J]. 《半导体光电》,2013:180-185.
APA	管云芳[1],高芳亮[1],&李国强[1].(2013).蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展.《半导体光电》,180-185.
MLA	管云芳[1],et al."蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展".《半导体光电》 (2013):180-185.

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