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	源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响 (EI收录)
	徐华[1]; 兰林锋[1]; 李民[1] 罗东向[1]; 肖鹏[1]; 林振国[1]; 宁洪龙[1]; 彭俊彪[1]
刊名	《物理学报》
	2014
页码	444-449
关键词	氧化铟锌 源漏电极 溅射功率 薄膜晶体管
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2213599
专题	华南理工大学
作者单位	[1]发光材料与器件国家重点实验室,华南理工大学材料科学与工程学院,广州510640
推荐引用方式 GB/T 7714	徐华[1],兰林锋[1],李民[1] 罗东向[1],等. 源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响 (EI收录)[J]. 《物理学报》,2014:444-449.
APA	徐华[1].,兰林锋[1].,李民[1] 罗东向[1].,肖鹏[1].,林振国[1].,...&彭俊彪[1].(2014).源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响 (EI收录).《物理学报》,444-449.
MLA	徐华[1],et al."源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响 (EI收录)".《物理学报》 (2014):444-449.

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