源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响 (EI收录) | |
徐华[1]; 兰林锋[1]; 李民[1] 罗东向[1]; 肖鹏[1]; 林振国[1]; 宁洪龙[1]; 彭俊彪[1] | |
刊名 | 《物理学报》
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2014 | |
页码 | 444-449 |
关键词 | 氧化铟锌 源漏电极 溅射功率 薄膜晶体管 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2213599 |
专题 | 华南理工大学 |
作者单位 | [1]发光材料与器件国家重点实验室,华南理工大学材料科学与工程学院,广州510640 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐华[1],兰林锋[1],李民[1] 罗东向[1],等. 源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响 (EI收录)[J]. 《物理学报》,2014:444-449. |
APA | 徐华[1].,兰林锋[1].,李民[1] 罗东向[1].,肖鹏[1].,林振国[1].,...&彭俊彪[1].(2014).源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响 (EI收录).《物理学报》,444-449. |
MLA | 徐华[1],et al."源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响 (EI收录)".《物理学报》 (2014):444-449. |
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