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	电沉积Cu／Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜 (EI收录)
	姚立勇[1]; 敖建平[1]; 汤勇[2] 曾海峰[3] 钟福回[3] 黄云翔[2] 毕金莲[1] 高守帅[1]
刊名	《太阳能学报》
	2015
卷号	36页码:1528-1532
关键词	CZTSe 电沉积 低硒压硒化 金属预制层
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2210288
专题	华南理工大学
作者单位	1.[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室、光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071 2.[2]华南理工大学机械与汽车工程学院、表面功能结构先进制造广东普通高校重点实验室,广州510640 [3]广东省阳江市汉能工业有限公司,阳江529533
推荐引用方式 GB/T 7714	姚立勇[1],敖建平[1],汤勇[2] 曾海峰[3] 钟福回[3] 黄云翔[2] 毕金莲[1] 高守帅[1]. 电沉积Cu／Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜 (EI收录)[J]. 《太阳能学报》,2015,36:1528-1532.
APA	姚立勇[1],敖建平[1],&汤勇[2] 曾海峰[3] 钟福回[3] 黄云翔[2] 毕金莲[1] 高守帅[1].(2015).电沉积Cu／Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜 (EI收录).《太阳能学报》,36,1528-1532.
MLA	姚立勇[1],et al."电沉积Cu／Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜 (EI收录)".《太阳能学报》 36(2015):1528-1532.

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